| Tytuł: | Podłoża GaN o najwyższej jakości strukturalnej dla elektroniki wysokiej mocy |
| Kierownik projektu: | Michał Boćkowski |
| Laboratorium: | Laboratorium Krystalizacji (NL-3) |
| Numer projektu: | N62909-21-1-2063 |
| Data realizacji: | 23.09.2021 22.09.2024 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Typ realizacji projektu: | Projekt realizowany samodzielnie |
| Przyznane środki ogółem: | 1 580 436.14 zł |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 1 580 436.14 zł |
| Instytucja finansująca: | Office of Naval Research |
Opis projektu
| Głównym celem projektu jest opracowanie technologii krystalizacji amonotermalnej zasadowej w celu uzyskania najwyższej jakości strukturalnej 2-calowych podłoży z azotku galu (GaN). Celem projektu jest również opracowanie procesu krystalizacji z fazy gazowej warstw GaN o najwyższej czystości. W trakcie trwania projektu planuje się: 1. modelowanie przepływów reagentów, rozkładu temperatury oraz przesycenia w strefie wzrostu kryształów amonotermalnych; 2. doskonalenie procedur przygotowania podłoży, nadających się do epitaksji, z kryształów GaN (tzw. wafering), takich jak: cięcie, szlifowanie, docieranie, polerowanie mechaniczne i mechaniczno-chemiczne; 3. osadzanie z fazy gazowej na podłożach ammonotermalnych monokrystalicznych warstw GaN o najwyższej czystości. Realizacja projektu pozwoli na: • uzyskanie jednorodnych pod względem grubości, gęstości defektów i koncentracji domieszek amonotermalnych kryształów GaN; • zwiększenie wydajności technologii przygotowania 2-calowych podłoży GaN nadających się do epitaksji; • krystalizację struktur GaN-on-GaN z warstwami epitaksjalnymi o najwyższej czystości (bez wysokiej koncentracji domieszek donorowych i akceptorowych). |